IGBT транзистор FGA25N120 (25N120), TO-3P, 1200В 25А зі вбудованим діодом
82 ₴
73,80 ₴
- В наявності
- Код: 633764
IGBT транзистор FGA25N120 (25N120), TO-3P, 1200В 25А зі вбудованим діодом
Потужний IGBT транзистор FGA25N120 у корпусі TO-3P застосовується в інверторах, блоках живлення, перетворювачах частоти та іншій силовій електроніці. Має високу надійність, здатність працювати з великими струмами й напругами, а також вбудований швидкий діод.
Призначений для промислових і побутових пристроїв: зварювальні апарати, джерела живлення, ДБЖ, перетворювачі напруги, зарядні станції та інше обладнання.
Переваги:
-
Робоча напруга до 1200 В
-
Максимальний струм колектора 25 А
-
Вбудований швидкий діод для захисту та стабільності
-
Корпус TO-3P з ефективним відведенням тепла
-
Універсальне використання в силовій електроніці
Характеристики:
-
Тип: IGBT транзистор
-
Модель: FGA25N120 / 25N120
-
Корпус: TO-3P
-
Максимальна напруга: 1200 В
-
Максимальний струм: 25 А
-
Вбудований діод: є
| Основні | |
|---|---|
| Країна виробник | Китай |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Ключові слова | Чип FGA25N120,25N120,TO-3P, Tранзистор IGBT,транзистор 1200 В 25 А +діод |
- Ціна: 73,80 ₴